[공학,기술] 반도체공학 experiment(실험) - Metal Deposition
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작성일 20-09-10 22:10
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마) Joule heating에 의해 온도가 올라가고 녹는점 이상에서 Metal source가
증발한다.
바) 증발된 Metal은 온도가 상대적으로 낮은 Wafer 기판에 닿으면 증착된다
3) 증착을 마친 Wafer를 Four Point Probe를 이용하여 면저항을 측정(測定) 한다.
다) Chamber를 고진공(~ Torr) 상태로 만든다.
2) E-beam Evaporator를 이용하여 NI을 증착시킨다.
라) Metal source에 전기를 흘려준다.
나) Holder에 Si 기판을 위치하고 Shadow mask를 장착 후 Chamber를 닫는다.
가) Metal source(Ni)를 Boat에 담아 용융점이 높은 턴스텐 판 위에 올린다. 증착시키는
금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라
제품의 면저항에 어떤 영향을 끼치는지 확인하고자 한다. 증착시키는
금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라
제품의 면저항에 어떤 영향을 끼치는지 확인하고자 한다.
3. 결과 및 고찰
`디스커션`
1. 각 Ni 증착에서 면저항값이 theory 값들과 얼마나 차이 나는지, 왜 그런지
증착두께…(To be continued )
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다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
증착 금속
증착 두께
나머지 변인
Ni (니켈)
10nm
모두 동일
20nm
30nm
나. 실험 준비물
1) 진공장비 : Gauge, Valve, Gas line, Pumps, ect
2) 기타장비 : Metal source(Ni), BOE 용액, DI water, Ecthed Si wafer pieces
Four point probe, tweezer, teflon beakers, safety...
실험 4 : Metal Deposition
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정(測定) 한다.
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설명
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실험 4 : Metal Deposition
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
증착시키는 공정인 ‘Metal deposition을 실시하여 기판의 면저항을 측정(測定) 한다.
2. 실험 방법
가. 실험 변수
증착 금속
증착 두께
나머지 변인
Ni (니켈)
10nm
모두 동일
20nm
30nm
나. 실험 준비물
1) 진공장비 : Gauge, Valve, Gas line, Pumps, ect
2) 기타장비 : Metal source(Ni), BOE 용액, DI water, Ecthed Si wafer pieces
Four point probe, tweezer, teflon beakers, safety gadgets
다. 실험 과정
1) BOE용액과 DI water를 사용해 Si 기판을 세정한다.
