[工學,기술] 전자회로 기초 test(실험) - 테브난의 요점 > cord3

[工學,기술] 전자회로 기초 test(실험) - 테브난의 요점

페이지 정보

작성일 21-03-13 16:35

본문

Download : [공학,기술] 전자회로 기초 실험 - 테브난의 정리.hwp

그럴 때 테브냉의 요약를 이용하면 모든 회로를 다 해석할 필요 없이 복잡한 부분은 단순한 등가 회로로 만들고 필요한 부분의 값만 좀 더 쉽게 구할 수 있다아 예를 들어 RL소자에서의 전압이나 전류를 알고 싶으면 나머지 부분을 VTH와 RTH의 직렬연결로 대신하여 표현하고 이로부터 간단하게 구할 수가 있다아 결국은 VTH와 RTH를 구하는 방법을 아는 것이 중요한데 VTH는 부하 저항이 제거된 상태, 즉 개방회로에서 본 전압이다. 〓330Ω을 …(省略)

[공학,기술] 전자회로 기초 실험 - 테브난의 정리 , [공학,기술] 전자회로 기초 실험 - 테브난의 정리기타실험결과 , 공학 기술 전자회로 기초 실험 테브난 정리

다.[工學,기술] 전자회로 기초 test(실험) - 테브난의 요점

설명

공학,기술,전자회로,기초,실험,테브난,정리,기타,실험결과
순서

[공학,기술]%20전자회로%20기초%20실험%20-%20테브난의%20정리_hwp_01.gif

[공학,기술]%20전자회로%20기초%20실험%20-%20테브난의%20정리_hwp_02.gif

[공학,기술]%20전자회로%20기초%20실험%20-%20테브난의%20정리_hwp_03.gif

[공학,기술]%20전자회로%20기초%20실험%20-%20테브난의%20정리_hwp_04.gif

Download : [공학,기술] 전자회로 기초 실험 - 테브난의 정리.hwp( 72 )

실험결과/기타

[工學,기술] 전자회로 기초 test(실험) - 테브난의 요점
◈ experiment(실험) title(제목) : 테브난의 요약

◈ experiment(실험) 목적 :
(1) 단일 전압원의 DC회로의 등가 저항()과 등가 전압()을 구하는 방법을 익힌다.
(2) 직병렬 회로의 analysis시 와 의 값을 experiment(실험)적으로 확인한다. 이곳에 전압계를 연결하면 VTH를 측정(測定) 할 수 있다아 그리고 RTH은 회로내의 전압원을 단락시키고 RL를 개방시켜서 이곳에서 바라본 저항값으로 구할 수 있다아

위 그림의 왼쪽과 같은 회로가 있으면 그것을 테브냉의 요약를 이용하여 오른쪽 그림과 같이 바꿀 수가 있다아 즉 VTH 〓 12 × {200 / (200+195+5)} 〓 6V가 되고 RTH 〓 (R1+R2)×R3 / (R1+R2+R3) 〓 (5+195)×200 / (5+195+200) 〓40000/400 〓 100Ω 이 된다 이것은 비교적 간단한 회로이지만 더욱 복잡한 회로를 해석할 때 매우 유용하게 쓰일 수 있다아

◈ experiment(실험) 방법

(1) experiment(실험) 1 : 멀티미터의 사용
1) 멀티미터를 사용하여 임의의 7개의 저항을 정하여 각 저항을 측정(測定) 하여 기록한다.

◈ experiment(실험) 일자 : 2014년 3월 24일 월요일

◈ experiment(실험) 관련 이론(理論)

- 테브냉의 요약 -
복잡한 회로에서 어떤 한 부분의 전류나 전압 값만 알고 싶을 경우가 있을 것이다.
(2) experiment(실험) 2 : 이 330Ω 일 때 , , 의 측정(測定) (〓330Ω)

(그림1)

2) (그림1)과 같이 회로를 구성한다.

뒤로가기 cord3

본문