재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, A…
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작성일 21-10-05 19:40
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2. Direction of Diffracted Beam
(2) 구성장치
3) 계수기록장치(Electronic Circuit Panel)
(1) 기본원리
9. AAS (atomic absorption spectroscopy)
3. 분해반응속도 항수의 계산
여러가지 측정(measurement) 방법에 대한 원리, experiment(실험)방법, 적용범위
(2) 전자저울 종류
2. X선에 의한 동정법의 한계
8. ICP-MS (Inductively Coupled Plasma)
2. TGA (ThermoGravimetric Analysis)
(3) FTIR의 구성
재료의 조성 측정(measurement)방법
2. TG 미분곡선
(3)XRD 시스템
3. 미분곡선을 이용하는 이점
(2) AAS의 구성
(4) 화학적 이동 (Chemical shift)
(4) 적용범위
1. XRD (X-ray Diffraction)
(1) 기본원리
(6) 시료 준비
(3) 기존 장비와의 비교
(1) 기본원리
1. 조성의 analysis
(2) FTIR의 characteristic(특성)
(2)Bragg’s Law
재료의 조성 측정방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS) 여러가지 측정 방법에 대한 원리, 실험방법, 적용범위 재료의 조성 측정방법
(3) 감도 및 검출 한계
(5) DTA의 특징
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4. 전형적인 TG-curve
설명
1. 분말X선회절법에 의한 동정법의 특징
Reference
(3) 광전자 스펙트럼 (Photoelectron spectrum)
(1) EDS 개요
(5) 정량 analysis (Quantitative analysis)
(2) EDS를 이용한 정成分석
6. EDS(Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)
순서
(4) FTIR에서의 Sampling 기법
(2) 결과 analysis
4. 응용예
(4)XRD 실험방법
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2. 열안정성
3. ICDD card
(5) analysis방법
(2) AES/SAM의 구조
(2) XRF의 이용
(5) 주요 적용 범위
4. 색인서(Index book)
1) X-ray 발생장치(X-ray Generator)
(1) X-선 형광이란
4)Filter
4. FTIR (Fourier transform infrared spectroscopy)
1. X-선 회절의 조건은?
(3) AESanalysis의 종류
재료의 조성 측정방법
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1. X-ray란?
(3) TG의 가중기법
(1) ICP-MS란?
3. analysis에 이용하는 X-ray는?
(1) AAS원리
(2) ESCA 장치의 주요 구조
(3) EDS를 이용한 원소의 정량analysis
(1) 장치 구성
2. X-ray의 발생
2). Goniometer
3. DTA (Differential Temperature Analyzer)
10. XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy)
(3) DTA peak 해석
(1) 장치 구성
5. AES(Auger Electron Spectroscopy)
1. TG 곡선의 의미
(4) 측정 방법
(3) XRF의 종류
1. XRD 구성
(4) 충전효율(charging effect)
7. XRF (X-Ray Flourescence Spectrometry)
(1)X-ray 기본원리
(7) 장점과 단점
재료의 조성 측정(measurement)방법(XRD, TGA, DTA, FTIR, AES, EDS, XRF, ICP-MS, AAS, XPS)
레포트 > 공학,기술계열
(4) analysis방법
(4) 시차온도곡선의 이해
다.
